产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 400A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 400A(Tc) 1000W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH400N075T2
仓库库存编号:
IXFH400N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247
型号:
IPZ65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001024004
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 750mA(Tj) 360mW(Tc) TO-39
型号:
VP2206N2
仓库库存编号:
VP2206N2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 54.9A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW55N80C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW55N80C3FKSA1-ND
别名:SP000849356
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH52N30Q
仓库库存编号:
IXFH52N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CP
仓库库存编号:
IPW60R045CPIN-ND
别名:IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R120C3
仓库库存编号:
IPW90R120C3-ND
别名:IPW90R120C3FKSA1
IPW90R120C3XK
Q4173182
SP000413750
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX40P50P
仓库库存编号:
IXTX40P50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 90A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX90P20P
仓库库存编号:
IXTX90P20P-ND
别名:620108
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 108A(Tc) 312W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR170P10P
仓库库存编号:
IXTR170P10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK90N20
仓库库存编号:
IXFK90N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 168A(Tc) 900W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N25T
仓库库存编号:
IXFN180N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N10
仓库库存编号:
IXFK180N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH13N110
仓库库存编号:
IXTH13N110-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX34N80
仓库库存编号:
IXFX34N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK44N60
仓库库存编号:
IXFK44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 190A 568W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB190SA10
仓库库存编号:
VS-FB190SA10-ND
别名:FB190SA10
FB190SA10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 250W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N250HV
仓库库存编号:
IXTT1N250HV-ND
别名:628949
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 310A(Tc) 1070W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN360N15T2
仓库库存编号:
IXFN360N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 340A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN340N07
仓库库存编号:
IXFN340N07-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 36A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN36N100
仓库库存编号:
IXFN36N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS84PH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS84PH6433XTMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
2N7002H6327XTSA2
仓库库存编号:
2N7002H6327XTSA2CT-ND
别名:2N7002H6327XTSA2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 190mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS123NH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS123NH6433XTMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6327XTSA2
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BSS84PH6327XTSA2CT-ND
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