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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8854
  仓库库存编号：FDMC8854CT-ND
  别名：FDMC8854CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR788DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR788DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR788DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R2K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R2K0CEBKMA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K1CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K1CEBKMA1-ND
  别名：SP001276064
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 91W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR48ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFR48ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFR48ZTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R950C6
  仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND
  别名：IPB60R950C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 30A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7560S
  仓库库存编号：FDMS7560SFSCT-ND
  别名：FDMS7560SFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR164DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR164DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR164DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP405-TL-H
  仓库库存编号：869-1088-1-ND
  别名：869-1088-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LSI
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSICT-ND
  别名：BSZ018NE2LSICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH5R906NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH5R906NHL1QCT-ND
  别名：TPH5R906NHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R450E6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R450E6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N03MS G
  仓库库存编号：BSC014N03MS GCT-ND
  别名：BSC014N03MS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N60C3
  仓库库存编号：SPB04N60C3INCT-ND
  别名：SPB04N60C3INCT
  SPB04N60C3XTINCT
  SPB04N60C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R660CFD
  仓库库存编号：IPB65R660CFDCT-ND
  别名：IPB65R660CFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK（3）
  
  型号：RJK0391DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
  别名：RJK0391DPA-00#J5ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 1.6W（Ta），63W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH4R606NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH4R606NHL1QCT-ND
  别名：TPH4R606NHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1018ESTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1018ESTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1018ESTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC017N04NS G
  仓库库存编号：BSC017N04NS GCT-ND
  别名：BSC017N04NS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120NPBF
  仓库库存编号：IRFU120NPBF-ND
  别名：*IRFU120NPBF
  SP001557678
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010ESTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1010ESTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1010ESTRLPBFCT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP14NF10
  仓库库存编号：497-7506-5-ND
  别名：497-7506-5
  STP14NF10-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1010ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1010ZSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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