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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 41.7W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI260N6F6
  仓库库存编号：497-14194-5-ND
  别名：497-14194-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R140CP
  仓库库存编号：IPW50R140CP-ND
  别名：IPW50R140CPFKSA1
  SP000234989
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI130N10F3
  仓库库存编号：497-13579-5-ND
  别名：497-13579-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI360N4F6
  仓库库存编号：497-14565-5-ND
  别名：497-14565-5
  STI360N4F6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI400N4F6
  仓库库存编号：497-14566-5-ND
  别名：497-14566-5
  STI400N4F6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE30PBF
  仓库库存编号：IRFPE30PBF-ND
  别名：*IRFPE30PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA028N08N3 G
  仓库库存编号：IPA028N08N3 G-ND
  别名：IPA028N08N3G
  IPA028N08N3GXKSA1
  SP000446770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI260N6F6
  仓库库存编号：497-11329-5-ND
  别名：497-11329-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP240N10F7
  仓库库存编号：497-13588-5-ND
  别名：497-13588-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R099C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R099C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R099C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R099C6FKSA1-ND
  别名：SP000896396
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298006
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60E-GE3-ND
  别名：SIHW47N60E-GE3CT
  SIHW47N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 35A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 102W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6035KNZC8
  仓库库存编号：R6035KNZC8-ND
  别名：R6035KNZC8TR
  R6035KNZC8TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH12N50F
  仓库库存编号：IXFH12N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 75A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 592W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH043N60
  仓库库存编号：FCH043N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT6N100F
  仓库库存编号：IXFT6N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH21N50F
  仓库库存编号：IXFH21N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT106N60B2C6
  仓库库存编号：APT106N60B2C6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002E
  仓库库存编号：2N7002ECT-ND
  别名：2N7002ECT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） ESV
  
  型号：SSM5N15FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM5N15FE(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM5N15FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：SSM5N15FU,LF
  仓库库存编号：SSM5N15FULFCT-ND
  别名：SSM5N15FU(TE85LF)CT
  SSM5N15FU(TE85LF)CT-ND
  SSM5N15FULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS84WQ-7-F
  仓库库存编号：BSS84WQ-7-FDICT-ND
  别名：BSS84WQ-7-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCC8002-H(TE12LQCT-ND
  别名：TPCC8002-H(TE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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