产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 52W(Ta) TO-252
型号:
FDD306P
仓库库存编号:
FDD306PCT-ND
别名:FDD306PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),39.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS407ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS407ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS407ADN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6375
仓库库存编号:
FDS6375CT-ND
别名:FDS6375CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA910PZ
仓库库存编号:
FDMA910PZCT-ND
别名:FDMA910PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA905P
仓库库存编号:
FDMA905PFSCT-ND
别名:FDMA905PFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS8425
仓库库存编号:
NDS8425FSCT-ND
别名:NDS8425FSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3460DV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6423DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6423DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6423DQ-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7102DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 600mW(Ta) S-Mini
型号:
SSM3J325F,LF
仓库库存编号:
SSM3J325FLFCT-ND
别名:SSM3J325FLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS806NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS806NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS806N H6327CT
BSS806N H6327CT-ND
BSS806NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS806NEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS806NEH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS806NEH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 820mA(Ta) 490mW(Ta) X1-DFN1212-3
型号:
DMP21D0UFD-7
仓库库存编号:
DMP21D0UFD-7DICT-ND
别名:DMP21D0UFD-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 425mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMP56D0UFB-7
仓库库存编号:
DMP56D0UFB-7DICT-ND
别名:DMP56D0UFB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) ES6
型号:
SSM6J213FE(TE85L,F
仓库库存编号:
SSM6J213FE(TE85LFCT-ND
别名:SSM6J213FE(TE85LFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMP2038USS-13
仓库库存编号:
DMP2038USS-13DICT-ND
别名:DMP2038USS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8810EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8810EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8810EDB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 2.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6409A
仓库库存编号:
785-1598-1-ND
别名:785-1598-1
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG410NZ
仓库库存编号:
FDG410NZCT-ND
别名:FDG410NZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTRV4101PT1G
仓库库存编号:
NTRV4101PT1GOSCT-ND
别名:NTRV4101PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 500mW(Ta) ES6
型号:
SSM6J215FE(TE85L,F
仓库库存编号:
SSM6J215FE(TE85LFCT-ND
别名:SSM6J215FE(TE85LFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tj) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJF4156NT1G
仓库库存编号:
NTLJF4156NT1GOSCT-ND
别名:NTLJF4156NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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