产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1467DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1467DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1467DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 1.7W(Ta) 4-WLCSP(1x1)
型号:
FDZ375P
仓库库存编号:
FDZ375PCT-ND
别名:FDZ375PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 410mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ1200UPEYL
仓库库存编号:
1727-2315-1-ND
别名:1727-2315-1
568-12601-1
568-12601-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 410mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB1200UPEYL
仓库库存编号:
1727-2325-1-ND
别名:1727-2325-1
568-12611-1
568-12611-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.2A(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB290UNE2YL
仓库库存编号:
1727-2328-1-ND
别名:1727-2328-1
568-12614-1
568-12614-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3F(SOT-416FL)
型号:
RE1J002YNTCL
仓库库存编号:
RE1J002YNTCLCT-ND
别名:RE1J002YNTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 1.3A(Ta) 540mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN2600UFB-7
仓库库存编号:
DMN2600UFB-7DICT-ND
别名:DMN2600UFB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 500MA 0806
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 500mA(Ta) 1.25W(Ta) PowerPAK? 0806
型号:
SIUD403ED-T1-GE3
仓库库存编号:
SIUD403ED-T1-GE3CT-ND
别名:SIUD403ED-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB150UNEYL
仓库库存编号:
1727-2326-1-ND
别名:1727-2326-1
568-12612-1
568-12612-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ200UNEYL
仓库库存编号:
1727-2317-1-ND
别名:1727-2317-1
568-12603-1
568-12603-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET NCH 20V 800MA CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 800mA(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K56CT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K56CTL3FCT-ND
别名:SSM3K56CTL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ290UNEYL
仓库库存编号:
1727-2318-1-ND
别名:1727-2318-1
568-12604-1
568-12604-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 500mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ950UPEYL
仓库库存编号:
1727-2324-2-ND
别名:1727-2324-2
568-12610-2
568-12610-2-ND
934068445315
PMZ950UPEYL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 500mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ950UPEYL
仓库库存编号:
1727-2324-1-ND
别名:1727-2324-1
568-12610-1
568-12610-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 500mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ950UPEYL
仓库库存编号:
1727-2324-6-ND
别名:1727-2324-6
568-12610-6
568-12610-6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2305CX RFG
仓库库存编号:
TSM2305CX RFGTR-ND
别名:TSM2305CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2305CX RFG
仓库库存编号:
TSM2305CX RFGCT-ND
别名:TSM2305CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2305CX RFG
仓库库存编号:
TSM2305CX RFGDKR-ND
别名:TSM2305CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.8A(Ta) 490mW(Ta) TO-236AB
型号:
PMV65UNER
仓库库存编号:
1727-2707-1-ND
别名:1727-2707-1
568-13226-1
568-13226-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3K345R,LF
仓库库存编号:
SSM3K345RLFCT-ND
别名:SSM3K345RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3K344R,LF
仓库库存编号:
SSM3K344RLFCT-ND
别名:SSM3K344RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.8A SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 395mW(Ta) SC-70
型号:
PMF63UNEX
仓库库存编号:
1727-2694-1-ND
别名:1727-2694-1
568-13213-1
568-13213-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V XQFN3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 500mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB950UPEYL
仓库库存编号:
1727-2333-1-ND
别名:1727-2333-1
568-12619-1
568-12619-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 600mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB600UNEYL
仓库库存编号:
1727-2332-1-ND
别名:1727-2332-1
568-12618-1
568-12618-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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