以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.7W（Ta），2.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4823DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4823DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4823DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5404BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5404BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5404BDC-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8475EDB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8475EDB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8475EDB-T1-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN2A01E6TA
  仓库库存编号：ZXMN2A01E6CT-ND
  别名：ZXMN2A01E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（1.6x1.6）
  
  型号：FDFME3N311ZT
  仓库库存编号：FDFME3N311ZTCT-ND
  别名：FDFME3N311ZTCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） EFCP1313-4CC-037
  
  型号：EFC4612R-TR
  仓库库存编号：EFC4612R-TROSCT-ND
  别名：EFC4612R-TROSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF015P02TL
  仓库库存编号：RTF015P02TLCT-ND
  别名：RTF015P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U27TR
  仓库库存编号：QS5U27CT-ND
  别名：QS5U27CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 2W（Ta） MicroFET 3x3mm
  
  型号：FDFM2P110
  仓库库存编号：FDFM2P110CT-ND
  别名：FDFM2P110CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.4W（Tj） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDFMA2N028Z
  仓库库存编号：FDFMA2N028ZCT-ND
  别名：FDFMA2N028ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 39A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），42W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6794
  仓库库存编号：785-1745-1-ND
  别名：785-1745-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.2W（Ta）
  
  型号：SSM6J771G,LF
  仓库库存编号：SSM6J771GLFCT-ND
  别名：SSM6J771GLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS415DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS415DNT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS415DNT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN2A03E6TA
  仓库库存编号：ZXMN2A03E6CT-ND
  别名：ZXMN2A03E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF020P02TL
  仓库库存编号：RTF020P02TLCT-ND
  别名：RTF020P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Ta），40A（Tc） 2.4W（Ta），26W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8588
  仓库库存编号：FDMC8588CT-ND
  别名：FDMC8588CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.7W（Ta） MicroFET 3x3mm
  
  型号：FDFM2N111
  仓库库存编号：FDFM2N111CT-ND
  别名：FDFM2N111CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.4W（Ta），17.9W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA408DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA408DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA408DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC645N
  仓库库存编号：FDC645NCT-ND
  别名：FDC645NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA426DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA426DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA426DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），100A（Tc） 1.5W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMN2005UPS-13
  仓库库存编号：DMN2005UPS-13DICT-ND
  别名：DMN2005UPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），30A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E180AJTB
  仓库库存编号：RQ3E180AJTBCT-ND
  别名：RQ3E180AJTBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7629DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7629DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7629DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64N02XTA
  仓库库存编号：ZXM64N02XCT-ND
  别名：ZXM64N02X
  ZXM64N02XCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5441BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5441BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5441BDC-T1-E3CT
  SI5441BDCT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索