产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
(1083)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(1083)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 610mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMN2020LSN-7
仓库库存编号:
DMN2020LSN-7DICT-ND
别名:DMN2020LSN-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP3130LQ-7
仓库库存编号:
DMP3130LQ-7DICT-ND
别名:DMP3130LQ-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RTM002P02T2L
仓库库存编号:
RTM002P02T2LCT-ND
别名:RTM002P02T2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 950mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN2F34FHTA
仓库库存编号:
ZXMN2F34FHCT-ND
别名:ZXMN2F34FHCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 350mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN3150LW-7
仓库库存编号:
DMN3150LWDICT-ND
别名:DMN3150LWDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K116TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K116TULFCT-ND
别名:SSM3K116TULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 250mW(Ta) SOT-323
型号:
DMP2240UW-7
仓库库存编号:
DMP2240UWDICT-ND
别名:DMP2240UWDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 510mW(Ta), 4.15W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV48XPAR
仓库库存编号:
1727-2308-1-ND
别名:1727-2308-1
568-12594-1
568-12594-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.97A(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3443CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3443CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3443CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-26
型号:
DMP2066LDM-7
仓库库存编号:
DMP2066LDMDICT-ND
别名:DMP2066LDMDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.9A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2050L-7
仓库库存编号:
DMN2050LDICT-ND
别名:DMN2050LDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.9A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
PMK50XP,518
仓库库存编号:
1727-7205-1-ND
别名:1727-7205-1
568-9696-1
568-9696-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 470mA(Ta) 390mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN61D8L-7
仓库库存编号:
DMN61D8L-7DICT-ND
别名:DMN61D8L-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 1W(Ta) U-DFN2523-6
型号:
DMP2018LFK-7
仓库库存编号:
DMP2018LFK-7DICT-ND
别名:DMP2018LFK-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6400
仓库库存编号:
785-1067-1-ND
别名:785-1067-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3474-TL-W
仓库库存编号:
MCH3474-TL-WOSCT-ND
别名:MCH3474-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.55W(Ta) 8-SO
型号:
DMS3015SSS-13
仓库库存编号:
DMS3015SSS-13DICT-ND
别名:DMS3015SSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN2A01FTA
仓库库存编号:
ZXMN2A01FCT-ND
别名:ZXMN2A01FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) ES6(1.6x1.6)
型号:
SSM6K202FE,LF
仓库库存编号:
SSM6K202FELFCT-ND
别名:SSM6K202FE(TE85LFCT
SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
SSM6K202FE,LFCT
SSM6K202FE,LFCT-ND
SSM6K202FELF
SSM6K202FELFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 600mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2230U-7
仓库库存编号:
DMN2230U-7DICT-ND
别名:DMN2230U-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN342P
仓库库存编号:
FDN342PCT-ND
别名:FDN342PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 1.9W(Ta),6.5W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 双
型号:
SIA817EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA817EDJ-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2399DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2399DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2399DS-T1-GE3CT
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RTF015N03TL
仓库库存编号:
RTF015N03TLCT-ND
别名:RTF015N03TLCT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3443BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3443BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3443BDV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±12V,
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