以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64P02XTA
  仓库库存编号：ZXM64P02XCT-ND
  别名：ZXM64P02X
  ZXM64P02XCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP2002UPS-13
  仓库库存编号：DMP2002UPS-13DICT-ND
  别名：DMP2002UPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 104A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD25404Q3T
  仓库库存编号：296-43210-1-ND
  别名：296-43210-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 390mA（Ta） 250mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS223PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS223PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS223PWH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 630mA（Tc） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS209PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS209PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS209PWH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS214NWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS214NWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS214NWH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS214NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS214NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS214N H6327CT
  BSS214N H6327CT-ND
  BSS214NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMN2400UFB-7
  仓库库存编号：DMN2400UFB-7DICT-ND
  别名：DMN2400UFB-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 760mA（Ta） 380mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMN21D2UFB-7B
  仓库库存编号：DMN21D2UFB-7BDICT-ND
  别名：DMN21D2UFB-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS205NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS205NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS205N H6327CT
  BSS205N H6327CT-ND
  BSS205NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6246TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6246TRPBFCT-ND
  别名：IRLML6246TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS215PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS215PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS215P H6327CT
  BSS215P H6327CT-ND
  BSS215PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6244TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6244TRPBFCT-ND
  别名：IRLML6244TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 200mW（Ta） SMT3
  
  型号：RJK005N03T146
  仓库库存编号：RJK005N03T146CT-ND
  别名：RJK005N03T146CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：SSM6H19NU,LF
  仓库库存编号：SSM6H19NULFCT-ND
  别名：SSM6H19NULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 320mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF016N05TL
  仓库库存编号：RTF016N05TLCT-ND
  别名：RTF016N05TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2402GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML2402GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML2402GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 600mW（Ta），900mW（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1403CDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1403CDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1403CDL-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6302GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML6302GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML6302GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6402GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML6402GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML6402GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC640P
  仓库库存编号：FDC640PCT-ND
  别名：FDC640PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMP2130L-7
  仓库库存编号：DMP2130LDICT-ND
  别名：DMP2130LDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.9A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：IRLTS2242TRPBF
  仓库库存编号：IRLTS2242TRPBFCT-ND
  别名：IRLTS2242TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 568mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1403BDL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1403BDL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1403BDL-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP2066UFDE-7
  仓库库存编号：DMP2066UFDE-7DICT-ND
  别名：DMP2066UFDE-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
• 无铅
• 搜索