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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP300L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP300 L6327
  BSP300 L6327-ND
  BSP300L6327XT
  SP000089201
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP372 E6327
  仓库库存编号：BSP372 E6327-ND
  别名：BSP372E6327T
  SP000011120
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373 E6327
  仓库库存编号：BSP373 E6327-ND
  别名：BSP373E6327T
  SP000011121
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS110NKSA1
  仓库库存编号：BTS110NKSA1-ND
  别名：BTS110
  BTS110-ND
  SP000011184
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS110E3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS110E3045ANTMA1TR-ND
  别名：BTS110 E3045A
  BTS110 E3045A-ND
  BTS110E3045AT
  SP000011183
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS113ANKSA1
  仓库库存编号：BTS113ANKSA1-ND
  别名：BTS113A
  BTS113A-ND
  SP000011187
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS113AE3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
  别名：BTS113A E3045A
  BTS113A E3045A-ND
  BTS113AE3045AT
  SP000011188
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS113AE3064NKSA1
  仓库库存编号：BTS113AE3064NKSA1-ND
  别名：BTS113A E3064
  BTS113A E3064-ND
  BTS113AE3064
  SP000011189
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ30A E3045A
  仓库库存编号：BUZ30A E3045A-ND
  别名：BUZ30AE3045AT
  SP000011337
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31
  仓库库存编号：BUZ31IN-ND
  别名：BUZ31-ND
  BUZ31IN
  BUZ31X
  BUZ31XK
  SP000011341
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） TO-263
  
  型号：BUZ31 E3045A
  仓库库存编号：BUZ31 E3045A-ND
  别名：BUZ31E3045AT
  SP000011343
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31 E3046
  仓库库存编号：BUZ31 E3046-ND
  别名：BUZ31E3046X
  BUZ31E3046XK
  SP000011344
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31L
  仓库库存编号：BUZ31LIN-ND
  别名：BUZ31L-ND
  BUZ31LIN
  BUZ31LX
  BUZ31LXK
  SP000011342
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：BUZ31L E3044A
  仓库库存编号：BUZ31L E3044A-ND
  别名：BUZ31LE3044ANT
  BUZ31LE3044AT
  SP000011961
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32
  仓库库存编号：BUZ32IN-ND
  别名：BUZ32-ND
  BUZ32IN
  BUZ32X
  BUZ32XK
  SP000011345
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUZ32 E3045A
  仓库库存编号：BUZ32 E3045A-ND
  别名：BUZ32E3045AT
  SP000011346
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ32H3045AATMA1
  仓库库存编号：BUZ32H3045AATMA1-ND
  别名：BUZ32 H3045A
  BUZ32 L3045A
  BUZ32 L3045A-ND
  BUZ32H3045AIN
  BUZ32H3045AIN-ND
  BUZ32L3045AIN
  BUZ32L3045AIN-ND
  BUZ32L3045AXT
  SP000102174
  SP000736086
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73E3046XK
  仓库库存编号：BUZ73E3046XK-ND
  别名：BUZ73 E3046
  BUZ73 E3046-ND
  BUZ73E3046X
  SP000011963
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A
  仓库库存编号：BUZ73AIN-ND
  别名：BUZ73A-ND
  BUZ73AIN
  BUZ73AX
  BUZ73AXK
  SP000011373
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73AE3046XK
  仓库库存编号：BUZ73AE3046XK-ND
  别名：BUZ73A E3046
  BUZ73A E3046-ND
  BUZ73AE3046X
  SP000011962
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73AL
  仓库库存编号：BUZ73ALIN-ND
  别名：BUZ73AL-ND
  BUZ73ALIN
  BUZ73ALX
  BUZ73ALXK
  SP000011375
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73L
  仓库库存编号：BUZ73LIN-ND
  别名：BUZ73L-ND
  BUZ73LIN
  BUZ73LX
  BUZ73LXK
  SP000011374
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 PG-TO-220-3
  
  型号：IPP21N03L G
  仓库库存编号：IPP21N03L G-ND
  别名：IPP21N03LGX
  IPP21N03LGXK
  SP000065079
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Ta） PG-TO251-3
  
  型号：IPS20N03L G
  仓库库存编号：IPS20N03L G-ND
  别名：IPS20N03LGX
  IPS20N03LGXK
  SP000064380
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Ta） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N08S2-07
  仓库库存编号：SPI100N08S2-07-ND
  别名：SP000055687
  SPI100N08S207
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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