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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 2A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6333C
  仓库库存编号：FDC6333CCT-ND
  别名：FDC6333CCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 480mA（Ta） 760mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN24H3D5L-7
  仓库库存编号：DMN24H3D5L-7DICT-ND
  别名：DMN24H3D5L-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 2.2W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN15A27KTC
  仓库库存编号：ZXMN15A27KTCCT-ND
  别名：ZXMN15A27KTCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3430DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3430DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3430DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3430DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3430DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3430DV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta）, 140A（Tc） 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C442NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C442NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C442NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP125H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP125H6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Tc） 37W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD03N40ZT4G
  仓库库存编号：NDD03N40ZT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 37W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDD03N40Z-1G
  仓库库存编号：NDD03N40Z-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDT03N40ZT3G
  仓库库存编号：NDT03N40ZT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDT03N40ZT1G
  仓库库存编号：NDT03N40ZT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6433XTMA1
  仓库库存编号：BSP125H6433XTMA1-ND
  别名：SP001058578
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 10W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5944DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5944DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5944DU-T1-E3CT
  SI5944DUT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 19A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta），19A（Tc） 4.2W（Ta），21W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4102
  仓库库存编号：785-1104-2-ND
  别名：785-1104-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 10W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5944DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5944DU-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7102
  仓库库存编号：IRF7102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125 E6327
  仓库库存编号：BSP125 E6327-ND
  别名：BSP125E6327T
  SP000011100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125 E6433
  仓库库存编号：BSP125 E6433-ND
  别名：BSP125E6433T
  SP000011101
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125L6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP125L6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP125 L6433CT
  BSP125 L6433CT-ND
  BSP125L6433
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V,
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