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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF8915TRPBF
  仓库库存编号：IRF8915PBFCT-ND
  别名：*IRF8915TRPBF
  IRF8915PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Tj） 1.1W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHD3101FT1G
  仓库库存编号：NTHD3101FT1GOSCT-ND
  别名：NTHD3101FT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
  
  型号：CSD87335Q3D
  仓库库存编号：296-43949-1-ND
  别名：296-43949-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 25A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
  
  型号：CSD87335Q3DT
  仓库库存编号：296-43923-1-ND
  别名：296-43923-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV30UN,215
  仓库库存编号：568-2353-1-ND
  别名：568-2353-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tj） 1.1W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHD3101FT3
  仓库库存编号：NTHD3101FT3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tj） 1.1W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHD3133PFT1G
  仓库库存编号：NTHD3133PFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tj） 1.1W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHD3133PFT3G
  仓库库存编号：NTHD3133PFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
  
  型号：NTHD5903T1G
  仓库库存编号：NTHD5903T1GOSCT-ND
  别名：NTHD5903T1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.2A（Ta） 380mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV30XN,215
  仓库库存编号：568-10833-1-ND
  别名：568-10833-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF8915TR
  仓库库存编号：IRF8915TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF8915
  仓库库存编号：IRF8915-ND
  别名：*IRF8915
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.4nC @ 4.5V,
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