产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.4A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
DMN4027SSD-13
仓库库存编号:
DMN4027SSD-13CT-ND
别名:DMN4027SSD-13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.5A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC4028SSD-13
仓库库存编号:
DMC4028SSD-13DICT-ND
别名:DMC4028SSD-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.78A(Ta) 2.17W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN3024LK3-13
仓库库存编号:
DMN3024LK3-13DICT-ND
别名:DMN3024LK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Ta) 2.14W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN4030LK3-13
仓库库存编号:
DMN4030LK3-13DICT-ND
别名:DMN4030LK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.4A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
DMN3024LSS-13
仓库库存编号:
DMN3024LSS-13DICT-ND
别名:DMN3024LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
DMN3024LSD-13
仓库库存编号:
DMN3024LSD-13DICT-ND
别名:DMN3024LSD-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN3F31DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN3F31DN8CT-ND
别名:ZXMN3F31DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMC3F31DN8TA
仓库库存编号:
ZXMC3F31DN8TADICT-ND
别名:ZXMC3F31DN8TADICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 18W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A10K3,S5Q
仓库库存编号:
TK8A10K3S5Q-ND
别名:TK8A10K3,S5Q(M
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3S5QM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 6A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
DMN4027SSS-13
仓库库存编号:
DMN4027SSS-13CT-ND
别名:DMN4027SSS-13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.9nC @ 10V,
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