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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），104A（Tc） 3.4W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH7932TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7932TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7932TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17559Q5
  仓库库存编号：296-35582-1-ND
  别名：296-35582-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832TRPBF
  仓库库存编号：IRF7832PBFCT-ND
  别名：*IRF7832TRPBF
  IRF7832PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7463TRPBF
  仓库库存编号：IRF7463PBFTR-ND
  别名：IRF7463PBFTR
  IRF7463TRPBF-ND
  IRF7463TRPBFTR-ND
  SP001551388
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7413DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7413DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7413DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7413DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7413DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7463
  仓库库存编号：IRF7463-ND
  别名：*IRF7463
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7463TR
  仓库库存编号：IRF7463TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832TR
  仓库库存编号：IRF7832CT-ND
  别名：*IRF7832TR
  IRF7832CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7463PBF
  仓库库存编号：IRF7463PBF-ND
  别名：SP001565454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 29A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6629TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6629TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6629TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 4.5V,
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