产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.6A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4330DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4330DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 6.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5406DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5406DC-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5461EDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5461EDC-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5461EDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5461EDC-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6966DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6966DQ-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6966DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6966DQ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9926BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9926BDY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.5A(Ta),66A(Tc) 870mW(Ta),41.7W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4826NET1G
仓库库存编号:
NTMFS4826NET1GOSCT-ND
别名:NTMFS4826NET1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NVD6415ANLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6415ANLT4G-VF01-ND
别名:NVD6415ANLT4G
NVD6415ANLT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.4A(Ta) 800mW(Ta) 4-WLCSP(1.6x1.6)
型号:
AOC2411
仓库库存编号:
785-1419-1-ND
别名:785-1419-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4264_101
仓库库存编号:
AO4264_101-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4264_DELTA
仓库库存编号:
AO4264_DELTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7604TR
仓库库存编号:
IRF7604CT-ND
别名:*IRF7604TR
IRF7604
IRF7604CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7331
仓库库存编号:
IRF7331-ND
别名:*IRF7331
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7433
仓库库存编号:
IRF7433-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7331TR
仓库库存编号:
IRF7331TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7433TR
仓库库存编号:
IRF7433TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL207SP
仓库库存编号:
BSL207SPINCT-ND
别名:BSL207SPINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 10A 2W Surface Mount 14-SOIC
型号:
IRF7335D1TR
仓库库存编号:
IRF7335D1TR-ND
别名:Q1902365
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7433TRPBF
仓库库存编号:
IRF7433PBFCT-ND
别名:*IRF7433TRPBF
IRF7433PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL207SPL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL207SPL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL207SPXTINCT
BSL207SPXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7307QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7307QTRPBFCT-ND
别名:IRF7307QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),84A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6711STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6711STR1PBFCT-ND
别名:IRF6711STR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7604TRPBF
仓库库存编号:
IRF7604TRPBFCT-ND
别名:IRF7604TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 86A, 303A 156W Surface Mount 32-PQFN (6x6)
型号:
IRFHE4250DTRPBF
仓库库存编号:
IRFHE4250DTRPBFCT-ND
别名:IRFHE4250DTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V,
无铅
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