产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 14.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.5A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),29W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7407
仓库库存编号:
785-1306-1-ND
别名:785-1306-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8252TRPBF
仓库库存编号:
IRF8252TRPBFCT-ND
别名:IRF8252TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 176.5W(Tc) TO-220
型号:
STP200N3LL
仓库库存编号:
497-16935-ND
别名:497-16935
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 88W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM040N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM040N03CP ROGTR-ND
别名:TSM040N03CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 88W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM040N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM040N03CP ROGCT-ND
别名:TSM040N03CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 88W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM040N03CP ROG
仓库库存编号:
TSM040N03CP ROGDKR-ND
别名:TSM040N03CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 13A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 13A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ206P
仓库库存编号:
FDZ206P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 32A(Ta),160A(Tc) 2.8W(Ta),75W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6795MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6795MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6795MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 56A(Tc) 143W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLS3114Z
仓库库存编号:
AUIRLS3114Z-ND
别名:SP001516760
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 31A MX
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 31A(Ta),190A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF8302MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF8302MTR1PBFCT-ND
别名:IRF8302MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 25A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8252TRPBF-1
仓库库存编号:
IRF8252TRPBF-1-ND
别名:SP001563862
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 4.5V,
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