产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(8)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(8)
筛选品牌
Infineon Technologies (6)
IXYS (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB017N06N3 G
仓库库存编号:
IPB017N06N3 GCT-ND
别名:IPB017N06N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),345A(Tc) 3.8W(Ta), 341W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7749L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7749L2CT-ND
别名:AUIRF7749L2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 66A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN82N60Q3
仓库库存编号:
IXFN82N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI024N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI024N06N3GXKSA1-ND
别名:SP000680644
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 82A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB82N60Q3
仓库库存编号:
IXFB82N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP024N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP024N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP024N06N3 G
IPP024N06N3 G-ND
IPP024N06N3G
SP000680764
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI024N06N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI024N06N3GHKSA1-ND
别名:IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-ND
SP000451486
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 275nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号