产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 223nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB017N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB017N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB017N08N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 223nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP020N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP020N08N5AKSA1-ND
别名:SP001132480
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 223nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT012N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPT012N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPT012N08N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 223nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R5-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1056-ND
别名:1727-1056
568-10164-5
568-10164-5-ND
934067499127
PSMN2R560PLQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 223nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 34A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY34NB50
仓库库存编号:
497-2680-5-ND
别名:497-2680-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 223nC @ 10V,
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