产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM026NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM026NA03CR RLGDKR-ND
别名：TSM026NA03CR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6.4A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP9NK65Z
仓库库存编号：
STP9NK65Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220
型号：
TSM8N80CZ C0G
仓库库存编号：
TSM8N80CZ C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） ITO-220
型号：
TSM8N80CI C0G
仓库库存编号：
TSM8N80CI C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 31W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3017SFV-13
仓库库存编号：
DMP3017SFV-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 31W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3017SFV-7
仓库库存编号：
DMP3017SFV-7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5414DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5414DC-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS850EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS850EN-T1_GE3-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6234
仓库库存编号：
785-1332-1-ND
别名：785-1332-1
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S53R1ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S53R1ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S53R1ATMA1CT
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 46W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD19P06-60L_T4GE3
仓库库存编号：
SQD19P06-60L_T4GE3-ND
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 40V 14A 3.8W Surface Mount D-Pak 5-Lead
型号：
NVDD5894NLT4G
仓库库存编号：
NVDD5894NLT4G-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10.7A（Ta），22A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC86320
仓库库存编号：
FDMC86320FSCT-ND
别名：FDMC86320FSCT
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK1056DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK1056DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK1056DPB-00#J5-ND
RJK1056DPB-00#J5TR
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634STRRPBF
仓库库存编号：
IRF634STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9332TRPBF
仓库库存编号：
IRF9332TRPBF-ND
别名：SP001565710
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 27A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC019N04LSATMA1-ND
别名：SP001067012
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP048N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP048N04NGXKSA1-ND
别名：IPP048N04N G
IPP048N04N G-ND
IPP048N04NG
SP000648308
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.9A（Tc） 104.2W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名：SP000949258
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R310CFD
IPA65R310CFD-ND
SP000890320
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
SP000891700
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R310CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R310CFDAATMA1-ND
别名：SP000879440
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R310CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R310CFDAAKSA1-ND
别名：SP000879438
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R310CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R310CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R310CFD
IPW65R310CFD-ND
SP000890688
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 22A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540
仓库库存编号：
497-2758-5-ND
别名：497-2758-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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