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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS4NF100
  仓库库存编号：497-8043-1-ND
  别名：497-8043-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF634
  仓库库存编号：IRF634IR-ND
  别名：*IRF634
  IRF634-ND
  IRF634IR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634S
  仓库库存编号：IRF634S-ND
  别名：*IRF634S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 5.6A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI634G
  仓库库存编号：IRFI634G-ND
  别名：*IRFI634G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.1A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF634L
  仓库库存编号：IRF634L-ND
  别名：*IRF634L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634STRL
  仓库库存编号：IRF634STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634STRR
  仓库库存编号：IRF634STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634SPBF
  仓库库存编号：IRF634SPBF-ND
  别名：*IRF634SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC634PBF
  仓库库存编号：IRC634PBF-ND
  别名：*IRC634PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH15N50
  仓库库存编号：FDH15N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP15N50
  仓库库存编号：FDP15N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 31A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF50N06
  仓库库存编号：FQPF50N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 20A（Ta），40A（Tc） 3.7W（Ta），42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6796
  仓库库存编号：FDD6796CT-ND
  别名：FDD6796CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 13A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4904N-35G
  仓库库存编号：NTD4904N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18.3A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（SH）
  
  型号：SIE836DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE836DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE836DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18.3A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（SH）
  
  型号：SIE836DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE836DF-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 1W（Ta），60W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP23N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP23N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP23N06YDG-E1-AY-ND
  NP23N06YDG-E1-AYTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7451
  仓库库存编号：IRF7451-ND
  别名：*IRF7451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7451TR
  仓库库存编号：IRF7451TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3INCT
  SPD06N80C3INCT-ND
  SPD06N80C3XTINCT
  SPD06N80C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU15N20DPBF
  仓库库存编号：IRFU15N20DPBF-ND
  别名：*IRFU15N20DPBF
  SP001576362
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 48W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB25N06S3-25
  仓库库存编号：IPB25N06S3-25-ND
  别名：IPB25N06S325XT
  SP000088000
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 25A（Tc） 48W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI25N06S3-25
  仓库库存编号：IPI25N06S3-25IN-ND
  别名：IPI25N06S3-25-ND
  IPI25N06S3-25IN
  IPI25N06S325X
  IPI25N06S325XK
  SP000087997
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 25A（Tc） 48W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP25N06S325XK
  仓库库存编号：IPP25N06S325XK-ND
  别名：IPP25N06S3-25
  IPP25N06S3-25-ND
  IPP25N06S3-25IN
  IPP25N06S3-25IN-ND
  IPP25N06S325X
  SP000088001
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH3430AL,115
  仓库库存编号：PH3430AL,115-ND
  别名：934063086115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 10V,
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