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• Nexperia USA Inc.
  PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 70A（Tc） 47W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN5R4-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2499-1-ND
  别名：1727-2499-1
  568-12931-1
  568-12931-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL211SPH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL211SPH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL211SPH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD11N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16936-1-ND
  别名：497-16936-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R800CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CE
  仓库库存编号：IPD50R800CECT-ND
  别名：IPD50R800CECT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 85W（Tc）
  
  型号：STL11N65M2
  仓库库存编号：497-15053-1-ND
  别名：497-15053-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11N60M2-EP
  仓库库存编号：STF11N60M2-EP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5489NLT3G
  仓库库存编号：NVMFD5489NLT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18.5A（Ta），66A（Tc） 2.64W（Ta）, 33.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4H07NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4H07NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5489NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFD5489NLWFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18.5A（Ta），66A（Tc） 2.64W（Ta）, 33.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4H07NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4H07NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5489NLT1G
  仓库库存编号：NVMFD5489NLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5489NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFD5489NLWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.1A（Tc） 26.4W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R800CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R800CEXKSA2-ND
  别名：SP001217234
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9.1A, 6A 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DMC3018LSD-13
  仓库库存编号：DMC3018LSD-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 26.4W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R800CE
  仓库库存编号：IPA50R800CE-ND
  别名：IPA50R800CEXKSA1
  SP000992084
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.4nC @ 10V,
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