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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGTR-ND
  别名：TSM80N950CP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGCT-ND
  别名：TSM80N950CP ROGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGDKR-ND
  别名：TSM80N950CP ROGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM80N950CH C5G
  仓库库存编号：TSM80N950CH C5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM80N950CI C0G
  仓库库存编号：TSM80N950CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.4A（Ta） 2W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP3026SFDE-13
  仓库库存编号：DMP3026SFDE-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.4A（Ta） 2W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP3026SFDE-7
  仓库库存编号：DMP3026SFDE-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 2W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP3026SFDF-13
  仓库库存编号：DMP3026SFDF-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 2W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP3026SFDF-7
  仓库库存编号：DMP3026SFDF-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.1W（Ta），2.98W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3424BDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3424BDV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN014-60LS,115
  仓库库存编号：568-5308-1-ND
  别名：568-5308-1
  PSMN01460LS115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 2.1W（Ta），2.98W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3424BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3424BDV-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.6nC @ 10V,
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