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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 181A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6C3R3-75C,118
  仓库库存编号：1727-7127-1-ND
  别名：1727-7127-1
  568-9503-1
  568-9503-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 253nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86360_F085
  仓库库存编号：FDB86360_F085CT-ND
  别名：FDB86360_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 253nC @ 10V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 228A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6C2R1-55C,118
  仓库库存编号：1727-7126-1-ND
  别名：1727-7126-1
  568-9502-1
  568-9502-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 253nC @ 10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH160N15T2
  仓库库存编号：IXFH160N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 253nC @ 10V,
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