产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2323DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2323DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2323DS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT434P
仓库库存编号:
FDT434PCT-ND
别名:FDT434PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16321Q5
仓库库存编号:
296-24517-1-ND
别名:296-24517-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16321Q5C
仓库库存编号:
296-25643-1-ND
别名:296-25643-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7114DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7114DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7114DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2323DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2323DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2323DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 700mW(Ta) TSM
型号:
SSM3J307T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3J307T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3J307T(TE85LF)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
型号:
CSD87353Q5D
仓库库存编号:
296-29661-1-ND
别名:296-29661-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7114DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7114DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7114DN-T1-GE3TR
SI7114DNT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7114DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7114DN-T1-GE3DKR-ND
别名:SI7114DN-T1-GE3DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7342DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7342DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Tc) 5.2W(Tc) PolarPak?
型号:
STK28N3LLH5
仓库库存编号:
497-8901-1-ND
别名:497-8901-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 10.7A(Ta),36A(Tc) 3.8W(Ta),43W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6512A
仓库库存编号:
FDD6512A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.7A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6812A
仓库库存编号:
FDS6812A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 10.7A(Ta),36A(Tc) 3.8W(Ta),43W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU6512A
仓库库存编号:
FDU6512A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
型号:
FDR8308P
仓库库存编号:
FDR8308PCT-ND
别名:FDR8308PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.7A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2323DS-T1
仓库库存编号:
SI2323DS-T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 4.4A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3445ADV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3445ADV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 4.4A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3445ADV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3445ADV-T1-E3CT-ND
别名:SI3445ADV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707S
仓库库存编号:
IRF3707S-ND
别名:*IRF3707S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7460
仓库库存编号:
IRF7460-ND
别名:*IRF7460
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3704
仓库库存编号:
IRF3704-ND
别名:*IRF3704
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3704L
仓库库存编号:
IRF3704L-ND
别名:*IRF3704L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707L
仓库库存编号:
IRF3707L-ND
别名:*IRF3707L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRL
仓库库存编号:
IRF3704STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 4.5V,
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