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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4435
  仓库库存编号：785-1030-1-ND
  别名：785-1030-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC5614P
  仓库库存编号：FDC5614PCT-ND
  别名：FDC5614PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD5614P
  仓库库存编号：FDD5614PCT-ND
  别名：FDD5614PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9435BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9435BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9435BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.6A, 7.3A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8858CZ
  仓库库存编号：FDS8858CZCT-ND
  别名：FDS8858CZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6910
  仓库库存编号：FDS6910CT-ND
  别名：FDS6910CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6911
  仓库库存编号：FDS6911CT-ND
  别名：FDS6911CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 8.2A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC89521L
  仓库库存编号：FDMC89521LCT-ND
  别名：FDMC89521LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7812DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7812DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7812DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7812DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7812DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7812DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7400A
  仓库库存编号：785-1301-1-ND
  别名：785-1301-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP3130LQ-7
  仓库库存编号：DMP3130LQ-7DICT-ND
  别名：DMP3130LQ-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4468
  仓库库存编号：785-1038-1-ND
  别名：785-1038-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.9A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC610PZ
  仓库库存编号：FDC610PZCT-ND
  别名：FDC610PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC093N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC093N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC093N04LS GCT
  BSC093N04LS GCT-ND
  BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ097N04LS G
  仓库库存编号：BSZ097N04LSGINCT-ND
  别名：BSZ097N04LSGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMP6050SSD-13
  仓库库存编号：DMP6050SSD-13DICT-ND
  别名：DMP6050SSD-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7414AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ7414AEN-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD7N65
  仓库库存编号：785-1484-1-ND
  别名：785-1484-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N50CTM
  仓库库存编号：FQB5N50CTMCT-ND
  别名：FQB5N50CTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830APBF
  仓库库存编号：IRF830APBF-ND
  别名：*IRF830APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36.5A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS40DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS40DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS40DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD020PBF
  仓库库存编号：IRFD020PBF-ND
  别名：*IRFD020PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI820GPBF
  仓库库存编号：IRFI820GPBF-ND
  别名：*IRFI820GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001277624
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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