产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),48A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R203NC,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R203NCL1QCT-ND
别名:TPN4R203NCL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ790DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ790DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ790DT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 370mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD420PBF
仓库库存编号:
IRFD420PBF-ND
别名:*IRFD420PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R180C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R180C7XKSA1-ND
别名:SP001296232
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 48A(Tc) 69W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH7R204PL,LQ
仓库库存编号:
TPH7R204PLLQCT-ND
别名:TPH7R204PLLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ730DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ730DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ730DT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 28.5A(Tj) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP28NQ15T,127
仓库库存编号:
1727-4644-ND
别名:1727-4644
568-5761
568-5761-5
568-5761-5-ND
568-5761-ND
934059074127
PHP28NQ15T
PHP28NQ15T,127-ND
PHP28NQ15T-ND
PHP28NQ15T127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E8R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7248-ND
别名:1727-7248
568-9857-5
568-9857-5-ND
934066418127
BUK7E8R340E127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR430APBF
仓库库存编号:
IRFR430APBF-ND
别名:*IRFR430APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
型号:
AON5802B
仓库库存编号:
AON5802B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 10A 1.5W Surface Mount 8-ECH
型号:
ECH8651R-TL-H
仓库库存编号:
869-1158-1-ND
别名:869-1158-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7698
仓库库存编号:
FDMS7698CT-ND
别名:FDMS7698CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5X6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),30A(Tc) 2.3W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6414A
仓库库存编号:
785-1226-1-ND
别名:785-1226-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4E110BNTR
仓库库存编号:
RF4E110BNTRCT-ND
别名:RF4E110BNTRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 36A DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),42W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6360
仓库库存编号:
785-1740-1-ND
别名:785-1740-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4476A
仓库库存编号:
785-1201-1-ND
别名:785-1201-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA530PZ
仓库库存编号:
FDMA530PZCT-ND
别名:FDMA530PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3669S
仓库库存编号:
FDMS3669SCT-ND
别名:FDMS3669SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 3.4W(Ta),17.9W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA408DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA408DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA408DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta),45A(Tc) 2.5W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB416
仓库库存编号:
785-1210-1-ND
别名:785-1210-1
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 8.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP9NQ20T,127
仓库库存编号:
1727-4652-ND
别名:1727-4652
568-5769
568-5769-5
568-5769-5-ND
568-5769-ND
934055685127
PHP9NQ20T
PHP9NQ20T,127-ND
PHP9NQ20T-ND
PHP9NQ20T127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 1.3W(Ta)
型号:
SI9435BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9435BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9435BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 178W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD9N50
仓库库存编号:
785-1485-1-ND
别名:785-1485-1
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 8-PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 15A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS7608S
仓库库存编号:
FDMS7608SCT-ND
别名:FDMS7608SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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