产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8005-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8005-H(TE12LQM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5435BDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5435BDC-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16.4A（Ta），30A（Tc） 3.7W（Ta），32.6W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6780A
仓库库存编号：
FDD6780ACT-ND
别名：FDD6780ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50CTM_F080
仓库库存编号：
FQD5N50CTM_F080-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 2A（Ta） 20W（Ta） PW-MOLD
型号：
2SJ610(TE16L1,NQ)
仓库库存编号：
2SJ610(TE16L1,NQ)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） DPAK
型号：
NTD4906NAT4G
仓库库存编号：
NTD4906NAT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4906N-35G
仓库库存编号：
NTD4906N-35GOS-ND
别名：NTD4906N-35G-ND
NTD4906N-35GOS
NTD4906N35G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4906N-1G
仓库库存编号：
NTD4906N-1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） I-Pak
型号：
NTD4906NA-35G
仓库库存编号：
NTD4906NA-35G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 79A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH6030AL,115
仓库库存编号：
PH6030AL,115-ND
别名：934063089115
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 55W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN5R8-30LL,115
仓库库存编号：
568-5593-1-ND
别名：568-5593-1
PSMN5R830LL115
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5834NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5834NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.5A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 30V 13.5A（Ta），36A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251A
型号：
AOI418
仓库库存编号：
AOI418-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） DPAK
型号：
NTD4906NT4G
仓库库存编号：
NTD4906NT4GOSCT-ND
别名：NTD4906NT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 14A, 11A 1.3W, 1.1W Surface Mount 14-SO
型号：
FDQ7238AS
仓库库存编号：
FDQ7238ASFSCT-ND
别名：FDQ7238ASFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 10A 1.5W Surface Mount 8-ECH
型号：
ECH8651R-TL-HX
仓库库存编号：
ECH8651R-TL-HX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 40A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6936
仓库库存编号：
785-1500-1-ND
别名：785-1500-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 17A/33A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 17A, 33A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6938
仓库库存编号：
785-1501-1-ND
别名：785-1501-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.5A（Ta），20A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7702B
仓库库存编号：
785-1507-1-ND
别名：785-1507-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK758R3-40E,127
仓库库存编号：
1727-7239-ND
别名：1727-7239
568-9846-5
568-9846-5-ND
934066425127
BUK758R340E127
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 17A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6928
仓库库存编号：
AON6928-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12.9A（Tc） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB40SNA,115
仓库库存编号：
568-10446-1-ND
别名：568-10446-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M009A050FSH
仓库库存编号：
GP1M009A050FSH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.5A（Tc） 127W（Tc） TO-220
型号：
GP1M009A050HS
仓库库存编号：
GP1M009A050HS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4435_102
仓库库存编号：
AO4435_102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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