产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4435_103
仓库库存编号:
AO4435_103-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4435L_102
仓库库存编号:
AO4435L_102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4476A_103
仓库库存编号:
AO4476A_103-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4476A_104
仓库库存编号:
AO4476A_104-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4476AL_102
仓库库存编号:
AO4476AL_102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta),36A(Tc) 3.1W(Ta),23W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7702A_101
仓库库存编号:
AON7702A_101-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF7T60
仓库库存编号:
AOTF7T60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 29W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF7T60L
仓库库存编号:
AOTF7T60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL ADVANCE QFET C-SERIES
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD5N50CTM_WS
仓库库存编号:
FQD5N50CTM_WS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 25W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX9NQ20T,127
仓库库存编号:
PHX9NQ20T,127-ND
别名:934055769127
PHX9NQ20T
PHX9NQ20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD26N06S2L-35
仓库库存编号:
SPD26N06S2L-35-ND
别名:SP000013570
SPD26N06S2L35T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB34CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB34CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB34CN10N G
IPB34CN10N G-ND
SP000277693
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号:
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名:IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD33CN10N G
IPD33CN10N G-ND
SP000096458
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI35CN10N G
仓库库存编号:
IPI35CN10N G-ND
别名:SP000208936
SP000680730
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP35CN10N G
仓库库存编号:
IPP35CN10N G-ND
别名:SP000096473
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP35CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP35CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680926
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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