产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4441
仓库库存编号:
785-1196-1-ND
别名:785-1196-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5999EDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5999EDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5999EDU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS4897C
仓库库存编号:
FDS4897CCT-ND
别名:FDS4897CCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT3055L
仓库库存编号:
NDT3055LCT-ND
别名:NDT3055LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9945BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9945BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4599DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4599DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4599DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NTD6416ANT4G
仓库库存编号:
NTD6416ANT4GOSCT-ND
别名:NTD6416ANT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
型号:
FDD8424H
仓库库存编号:
FDD8424HCT-ND
别名:FDD8424HCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR320TRPBF
仓库库存编号:
IRFR320PBFCT-ND
别名:*IRFR320TRPBF
IRFR320PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC5614P
仓库库存编号:
FDMC5614PCT-ND
别名:FDMC5614PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),116W(Tc) 8-SON(5x6)
型号:
CSD18563Q5A
仓库库存编号:
296-36511-1-ND
别名:296-36511-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7220DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7220DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7220DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7220DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7220DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7220DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 720mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN3042L-7
仓库库存编号:
DMN3042L-7DICT-ND
别名:DMN3042L-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),18A(Tc) 96mW,80mW SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2374DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2374DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2374DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094T4G
仓库库存编号:
NTD3055-094T4GOSCT-ND
别名:NTD3055-094T4GOS
NTD3055-094T4GOS-ND
NTD3055-094T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 74W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN026-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4278-1-ND
别名:1727-4278-1
568-4910-1
568-4910-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR024NPBFCT-ND
别名:*IRFR024NTRPBF
IRFR024NPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 74W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN017-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4626-1-ND
别名:1727-4626-1
568-5581-1
568-5581-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 74W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R3-40YS,115
仓库库存编号:
1727-4271-1-ND
别名:1727-4271-1
568-4903-1
568-4903-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA466EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA466EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA8051L
仓库库存编号:
FDMA8051LCT-ND
别名:FDMA8051LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N40CTM
仓库库存编号:
FQD6N40CTMCT-ND
别名:FQD6N40CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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