产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9412A
仓库库存编号:
FDS9412A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N60CTM
仓库库存编号:
FQD6N60CTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N40CF
仓库库存编号:
FQPF6N40CF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N40CTU_NBEA001
仓库库存编号:
FQU6N40CTU_NBEA001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7948DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7948DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7948DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4561DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4561DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4561DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7842DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7842DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7842DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7844DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7844DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7844DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 23A(Tc) 33W(Tc) DPAK
型号:
NTD5807NT4G
仓库库存编号:
NTD5807NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
型号:
FDD8424H_F085
仓库库存编号:
FDD8424H_F085CT-ND
别名:FDD8424H_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N60C_F080
仓库库存编号:
FQP6N60C_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8005-H(TE85L,F
仓库库存编号:
TPCP8005-HTE85LFCT-ND
别名:TPCP8005-HTE85LFCT
TPCP8005HTE85LF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD12N10T4G
仓库库存编号:
NTD12N10T4GOSCT-ND
别名:NTD12N10T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6416AN-1G
仓库库存编号:
NTD6416AN-1GOS-ND
别名:NTD6416AN-1G-ND
NTD6416AN-1GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8A01-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8A01-H(TE12LQMCT
TPCC8A01HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Tc) 132W(Tc) TO-220
型号:
AOT5N60
仓库库存编号:
785-1188-5-ND
别名:785-1188-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9945AEY-T1
仓库库存编号:
SI9945AEY-T1-ND
别名:Q4552539A
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD5P06VT4GV
仓库库存编号:
MTD5P06VT4GV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5402BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5402BDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5402BDC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7946DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7946DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7946DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3446ADV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3446ADV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.8A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI4412ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4412ADY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4539ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4539ADY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4561DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4561DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5402DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5402DC-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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