产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R225C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R225C7XKSA1-ND
别名:SP000929432
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) TO-247
型号:
STW18N60DM2
仓库库存编号:
497-16340-5-ND
别名:497-16340-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6008FNX
仓库库存编号:
R6008FNX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 30W TO-220SIS
型号:
TK380A60Y,S4X
仓库库存编号:
TK380A60YS4X-ND
别名:TK380A60Y,S4X(S
TK380A60YS4X
TK380A60YS4X(S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta), 156W(Tc) TO-220
型号:
CDM22010-650 SL
仓库库存编号:
CDM22010-650 SL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.3A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A65W,S5X
仓库库存编号:
TK9A65WS5X-ND
别名:TK9A65W,S5X(M
TK9A65WS5X
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 70W(Tc) TO-220
型号:
STP10NM60ND
仓库库存编号:
497-12276-ND
别名:497-12276
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT3612
仓库库存编号:
FDT3612CT-ND
别名:FDT3612CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4554DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4554DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4554DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 17A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta),17A(Tc) 4.1W(Ta),39W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7254
仓库库存编号:
785-1675-1-ND
别名:785-1675-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4900DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4900DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4900DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF6N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF6N60ZUT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4539ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4539ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4539ADY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 73W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N40CTM
仓库库存编号:
FQB6N40CTMCT-ND
别名:FQB6N40CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6007ENJTL
仓库库存编号:
R6007ENJTLCT-ND
别名:R6007ENJTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L-09
仓库库存编号:
IPD30N03S4L-09INCT-ND
别名:IPD30N03S4L-09INCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R225C7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD3PK50Z
仓库库存编号:
497-12121-1-ND
别名:497-12121-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3535
仓库库存编号:
FDC3535CT-ND
别名:FDC3535CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S4L26ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L26ATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S4L26ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5877NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5877NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFD5877NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHF5N50D-E3-ND
别名:SIHF5N50D-E3CT
SIHF5N50D-E3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD9NM50N
仓库库存编号:
497-7980-1-ND
别名:497-7980-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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