产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R600P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R600P7AKMA1-ND
别名:SP001644630
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644604
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644610
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 80W(Tc) I-Pak
型号:
TK10Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK10Q60WS1VQ-ND
别名:TK10Q60W,S1VQ(S
TK10Q60WS1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK10A60WS4VX-ND
别名:TK10A60W,S4VX(M
TK10A60WS4VX
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 13A(Ta) 2.5W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSC0996NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0996NSATMA1-ND
别名:SP001659236
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名:SP000475916
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO110N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
SP000446062
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.7W(Ta),33W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8330TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3.6A(Tc) 78W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR812TRPBF
仓库库存编号:
IRFR812TRPBFCT-ND
别名:IRFR812TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S4L26AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S4L26AATMA1-ND
别名:SP001023848
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),88A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288144
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288156
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3.6A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB812PBF
仓库库存编号:
IRFB812PBF-ND
别名:SP001563948
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4292TRLTR-ND
别名:AUIRFR4292TRLTR
SP001520520
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NS
仓库库存编号:
AUIRFZ24NS-ND
别名:SP001517468
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 5.8A(Tc) 62.5W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名:SP000949266
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000928260
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU4292
仓库库存编号:
AUIRFU4292-ND
别名:SP001519718
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ24NSTRL-ND
别名:SP001522352
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000875794
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R660CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R660CFDAAKSA1-ND
别名:SP000875802
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R225C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R225C7XKSA1-ND
别名:SP001080144
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 4.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 4.7A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5NB40
仓库库存编号:
497-2675-5-ND
别名:497-2675-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS3C2F100
仓库库存编号:
STS3C2F100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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