产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7313TRPBF
仓库库存编号:
IRF7313PBFCT-ND
别名:*IRF7313TRPBF
IRF7313PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7319TRPBF
仓库库存编号:
IRF7319PBFCT-ND
别名:*IRF7319TRPBF
IRF7319PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ110N06NS3 G
仓库库存编号:
BSZ110N06NS3GINCT-ND
别名:BSZ110N06NS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389TRPBF
仓库库存编号:
IRF7389PBFCT-ND
别名:*IRF7389TRPBF
IRF7389PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP613PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP613PH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD22N08S2L50ATMA1
仓库库存编号:
IPD22N08S2L50ATMA1CT-ND
别名:IPD22N08S2L50ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 63W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC60N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPC60N04S406ATMA1-ND
别名:SP001121640
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0501NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0501NSIATMA1-ND
别名:SP001288140
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名:SP001281638
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 82A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC061N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC061N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001232634
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 31A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
仓库库存编号:
BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
别名:SP001258924
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7319QTR
仓库库存编号:
AUIRF7319QTR-ND
别名:SP001520168
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 43A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
型号:
AUIRFN8458TR
仓库库存编号:
AUIRFN8458TR-ND
别名:SP001522712
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1
仓库库存编号:
IRF7353D1-ND
别名:*IRF7353D1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1TR
仓库库存编号:
IRF7353D1TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389
仓库库存编号:
IRF7389-ND
别名:*IRF7389
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D2
仓库库存编号:
IRF7353D2-ND
别名:*IRF7353D2
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389TR
仓库库存编号:
IRF7389TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 1.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3000
仓库库存编号:
IRF3000-ND
别名:*IRF3000
Q1439458
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 1.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3000PBF
仓库库存编号:
IRF3000PBF-ND
别名:*IRF3000PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7353D1PBFCT-ND
别名:*IRF7353D1TRPBF
IRF7353D1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7353D2PBFCT-ND
别名:*IRF7353D2TRPBF
IRF7353D2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613P
仓库库存编号:
BSP613P-ND
别名:BSP613PT
SP000012301
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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