产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 25A(Tc) 75W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD22N08S2L-50
仓库库存编号:
SPD22N08S2L-50-ND
别名:SP000013910
SPD22N08S2L50T
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.6A(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU18P06P
仓库库存编号:
SPU18P06PIN-ND
别名:SP000012303
SPU18P06P-ND
SPU18P06PIN
SPU18P06PX
SPU18P06PXK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名:BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P
仓库库存编号:
SPD18P06PINCT-ND
别名:SPD18P06PINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7313QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7313QTRPBFCT-ND
别名:IRF7313QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7319Q
仓库库存编号:
AUIRF7319Q-ND
别名:SP001517232
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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