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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9926CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9926CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9926CDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5432DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5432DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5432DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），132W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86250
  仓库库存编号：FDD86250CT-ND
  别名：FDD86250CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 8A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
  
  型号：FDMQ86530L
  仓库库存编号：FDMQ86530LCT-ND
  别名：FDMQ86530LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ110N06NS3 G
  仓库库存编号：BSZ110N06NS3GINCT-ND
  别名：BSZ110N06NS3GINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P G
  仓库库存编号：SPD18P06P GCT-ND
  别名：SPD18P06P GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7389TRPBF
  仓库库存编号：IRF7389PBFCT-ND
  别名：*IRF7389TRPBF
  IRF7389PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 44A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP44N10T
  仓库库存编号：IXTP44N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 44A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 130W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY44N10T
  仓库库存编号：IXTY44N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 6A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N52K3
  仓库库存编号：497-12587-5-ND
  别名：497-12587-5
  STF7N52K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI530GPBF
  仓库库存编号：IRFI530GPBF-ND
  别名：*IRFI530GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 6A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N52DK3
  仓库库存编号：497-12586-5-ND
  别名：497-12586-5
  STF7N52DK3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N95K3
  仓库库存编号：497-12588-5-ND
  别名：497-12588-5
  STF7N95K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN028-100YS,115
  仓库库存编号：1727-5226-1-ND
  别名：1727-5226-1
  568-6543-1
  568-6543-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP613PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP613PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4925DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4925DCS RLGTR-ND
  别名：TSM4925DCS RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4925DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4925DCS RLGCT-ND
  别名：TSM4925DCS RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4925DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4925DCS RLGDKR-ND
  别名：TSM4925DCS RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD7N52DK3
  仓库库存编号：497-10707-1-ND
  别名：497-10707-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 45W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM10NC60CF C0G
  仓库库存编号：TSM10NC60CF C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD516
  仓库库存编号：785-1358-1-ND
  别名：785-1358-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 27A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），32A（Tc） 6W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6516
  仓库库存编号：785-1368-1-ND
  别名：785-1368-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），30A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7516
  仓库库存编号：785-1403-1-ND
  别名：785-1403-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 29A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），32A（Tc） 6W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6566
  仓库库存编号：AON6566-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 6.5A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.3W（Ta），50W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4184
  仓库库存编号：AOI4184-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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