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  MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），26A（Tc） 3.1W（Ta），59W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI07174
  仓库库存编号：GKI07174CT-ND
  别名：GKI07174CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 10A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4884
  仓库库存编号：AO4884-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD22N08S2L50ATMA1
  仓库库存编号：IPD22N08S2L50ATMA1CT-ND
  别名：IPD22N08S2L50ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 9A DFN5X6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9A 1.6W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6884
  仓库库存编号：AON6884-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10N65
  仓库库存编号：AOT10N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N65
  仓库库存编号：AOTF10N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4890BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4890BDY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4890BDY-T1-GE3TR
  SI4890BDYT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4890BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4890BDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：AOWF10N65
  仓库库存编号：AOWF10N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 10A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW10N65
  仓库库存编号：AOW10N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） TO-220-3
  
  型号：TK18E10K3,S1X(S
  仓库库存编号：TK18E10K3S1X(S-ND
  别名：TK18E10K3S1X(S
  TK18E10K3S1XS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 3.5A
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：BFL4026-1E
  仓库库存编号：BFL4026-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-23
  
  型号：IPC60N04S406ATMA1
  仓库库存编号：IPC60N04S406ATMA1-ND
  别名：SP001121640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0501NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0501NSIATMA1-ND
  别名：SP001288140
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0501NSIATMA1
  仓库库存编号：BSZ0501NSIATMA1-ND
  别名：SP001281638
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 82A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC061N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC061N08NS5ATMA1-ND
  别名：SP001232634
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ014NE2LS5IFATMA1
  仓库库存编号：BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
  别名：SP001258924
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7319QTR
  仓库库存编号：AUIRF7319QTR-ND
  别名：SP001520168
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 43A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：AUIRFN8458TR
  仓库库存编号：AUIRFN8458TR-ND
  别名：SP001522712
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 525V 6A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP7N52DK3
  仓库库存编号：497-10714-5-ND
  别名：497-10714-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI530G
  仓库库存编号：IRFI530G-ND
  别名：*IRFI530G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 9.3A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N30A
  仓库库存编号：IRFB9N30A-ND
  别名：*IRFB9N30A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 9.3A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N30APBF
  仓库库存编号：IRFB9N30APBF-ND
  别名：*IRFB9N30APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12.6A（Ta），55A（Tc） 55W（Tc） TO-251
  
  型号：FDU8882
  仓库库存编号：FDU8882-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） TO-220
  
  型号：FDP5690
  仓库库存编号：FDP5690-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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