产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP5N80
仓库库存编号：
FQP5N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.8A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5N80
仓库库存编号：
FQPF5N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
型号：
FQI5N80TU
仓库库存编号：
FQI5N80TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N80TM
仓库库存编号：
FQB5N80TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB5690
仓库库存编号：
FDB5690CT-ND
别名：FDB5690CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 55A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP55N075T
仓库库存编号：
IXTP55N075T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 55A（Tc） 130W（Tc） TO-252
型号：
IXTY55N075T
仓库库存编号：
IXTY55N075T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8032-H(TE12LQM)
仓库库存编号：
TPC8032-H(TE12LQM)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） DPAK
型号：
NTD4905NT4G
仓库库存编号：
NTD4905NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4905N-1G
仓库库存编号：
NTD4905N-1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4905N-35G
仓库库存编号：
NTD4905N-35G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4004DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4004DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4004DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 4.8W（Ta），44.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR408DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR408DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR408DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 2W（Ta），4.1W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3410DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3410DV-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.5A（Ta） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220FI（LS）
型号：
BFL4026
仓库库存编号：
BFL4026-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14A SDMOS 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），36A（Tc） 6W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6418
仓库库存编号：
785-1343-1-ND
别名：785-1343-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），24A（Tc） 4.2W（Ta），35W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6202
仓库库存编号：
785-1398-1-ND
别名：785-1398-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7202
仓库库存编号：
785-1375-1-ND
别名：785-1375-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 30V 18A（Ta），54A（Tc） 2.5W（Ta），62W（Tc） TO-251A
型号：
AOI208
仓库库存编号：
AOI208-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 18A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 25V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251A
型号：
AOI472A
仓库库存编号：
AOI472A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 17A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251A
型号：
AOI516
仓库库存编号：
785-1568-5-ND
别名：AOI516-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 16A 8ULTRA-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），54A（Tc） 2.1W（Ta），58W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1202
仓库库存编号：
AOL1202-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），32A（Tc） 6W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6526
仓库库存编号：
785-1578-1-ND
别名：785-1578-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6802
仓库库存编号：
JAN2N6802-ND
别名：JAN2N6802-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6802U
仓库库存编号：
JAN2N6802U-ND
别名：JAN2N6802U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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