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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTX2N6802
  仓库库存编号：JANTX2N6802-ND
  别名：JANTX2N6802-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTX2N6802U
  仓库库存编号：JANTX2N6802U-ND
  别名：JANTX2N6802U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6802
  仓库库存编号：JANTXV2N6802-ND
  别名：JANTXV2N6802-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTXV2N6802U
  仓库库存编号：JANTXV2N6802U-ND
  别名：JANTXV2N6802U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 18A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOY526
  仓库库存编号：AOY526-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 10A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4884L_001
  仓库库存编号：AO4884L_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD206_001
  仓库库存编号：AOD206_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD504
  仓库库存编号：AOD504-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD516_001
  仓库库存编号：AOD516_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD516_002
  仓库库存编号：AOD516_002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD516_050
  仓库库存编号：AOD516_050-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI206_002
  仓库库存编号：AOI206_002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOI516_001
  仓库库存编号：AOI516_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOI516_002
  仓库库存编号：AOI516_002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7202L
  仓库库存编号：AON7202L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD526
  仓库库存编号：AOD526-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH TO251B
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOY516
  仓库库存编号：AOY516-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD206_030
  仓库库存编号：AOD206_030-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7202_101
  仓库库存编号：AON7202_101-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7353D1
  仓库库存编号：IRF7353D1-ND
  别名：*IRF7353D1
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7353D1TR
  仓库库存编号：IRF7353D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7389
  仓库库存编号：IRF7389-ND
  别名：*IRF7389
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7353D2
  仓库库存编号：IRF7353D2-ND
  别名：*IRF7353D2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7389TR
  仓库库存编号：IRF7389TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 1.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3000
  仓库库存编号：IRF3000-ND
  别名：*IRF3000
  Q1439458
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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