产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA445EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA445EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.4A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7190DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7190DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7190DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7178DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7178DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7178DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7174DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7174DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7174DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540PBF
仓库库存编号:
IRF540PBF-ND
别名:*IRF540PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LS
仓库库存编号:
BSC011N03LSCT-ND
别名:BSC011N03LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N10NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 105A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-220
型号:
AOT240L
仓库库存编号:
785-1270-5-ND
别名:785-1270-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NK80Z
仓库库存编号:
497-7498-5-ND
别名:497-7498-5
STP10NK80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STP10NK80ZFP
仓库库存编号:
497-5972-5-ND
别名:497-5972-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 31A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP140PBF
仓库库存编号:
IRFP140PBF-ND
别名:*IRFP140PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW10NK80Z
仓库库存编号:
497-3254-5-ND
别名:497-3254-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),116A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8874
仓库库存编号:
FDD8874CT-ND
别名:FDD8874CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF540STRLPBF
仓库库存编号:
IRF540STRLPBFCT-ND
别名:IRF540STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46NPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NPBF-ND
别名:*IRFZ46NPBF
SP001571842
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI540GPBF
仓库库存编号:
IRFI540GPBF-ND
别名:*IRFI540GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD50N06-09L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N06-09L_GE3CT-ND
别名:SQD50N06-09L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) I2PAK
型号:
STI32N65M5
仓库库存编号:
497-11331-5-ND
别名:497-11331-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP32N65M5
仓库库存编号:
497-10079-5-ND
别名:497-10079-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW32N65M5
仓库库存编号:
497-10999-5-ND
别名:497-10999-5
STW32N65M5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 102W(Tc) TO-3PF
型号:
R6035KNZC8
仓库库存编号:
R6035KNZC8-ND
别名:R6035KNZC8TR
R6035KNZC8TR-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),85A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6752
仓库库存编号:
785-1498-1-ND
别名:785-1498-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 150W(Tc) Power56
型号:
FDMS5360L_F085
仓库库存编号:
FDMS5360L_F085CT-ND
别名:FDMS5360L_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR846DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR846DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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