产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220
型号:
TSM9N90ECZ C0G
仓库库存编号:
TSM9N90ECZ C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 89W(Tc) ITO-220
型号:
TSM9N90ECI C0G
仓库库存编号:
TSM9N90ECI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA465EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA465EDJ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM47N10-24L_GE3
仓库库存编号:
SQM47N10-24L_GE3-ND
别名:SQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP50N06-09L_GE3
仓库库存编号:
SQP50N06-09L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Ta) 1W(Ta),50W(Tc) TO-251(MP-3)
型号:
2SK3482-AZ
仓库库存编号:
2SK3482-AZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 40A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK40N30L
仓库库存编号:
785-1447-5-ND
别名:785-1447-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH26N60P
仓库库存编号:
IXTH26N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ26N60P
仓库库存编号:
IXTQ26N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT15F60B
仓库库存编号:
APT15F60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N60P
仓库库存编号:
IXFT26N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT26N60P
仓库库存编号:
IXTT26N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 329W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5016BLLG
仓库库存编号:
APT5016BLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 329W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5016BFLLG
仓库库存编号:
APT5016BFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 35A(Tc) 403W(Tc) D3 [S]
型号:
APT5014SLLG
仓库库存编号:
APT5014SLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名:SP000936514
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028678
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 17A(Ta) 2.5W(Ta),46W(Tc) DIRECTFET? M2
型号:
AUIRF7734M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7734M2TR-ND
别名:SP001522286
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 39A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFZ46NL
仓库库存编号:
AUIRFZ46NL-ND
别名:SP001521774
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640
仓库库存编号:
497-2759-5-ND
别名:497-2759-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
IRF640FP
仓库库存编号:
IRF640FP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB230NH03L
仓库库存编号:
497-7942-1-ND
别名:497-7942-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF32N65M5
仓库库存编号:
497-11396-5-ND
别名:497-11396-5
STF32N65M5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540
仓库库存编号:
IRF540IR-ND
别名:*IRF540
IRF540IR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF540S
仓库库存编号:
IRF540S-ND
别名:*IRF540S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
含铅
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