产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 1.5W(Ta) SOT-89-3
型号:
ZXMN6A07ZTA
仓库库存编号:
ZXMN6A07ZCT-ND
别名:ZXMN6A07ZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.6A, 1.3A 1.3W Surface Mount SM8
型号:
ZXMHC6A07T8TA
仓库库存编号:
ZXMHC6A07T8CT-ND
别名:ZXMHC6A07T8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号:
ZXMHC6A07N8TC
仓库库存编号:
ZXMHC6A07N8DICT-ND
别名:ZXMHC6A07N8DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
型号:
ZXMHN6A07T8TA
仓库库存编号:
ZXMHN6A07T8CT-ND
别名:ZXMHN6A07T8TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN6A07FTA
仓库库存编号:
ZXMN6A07FCT-ND
别名:ZXMN6A07FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Tc) 800mW(Ta) SOT-223
型号:
MMFT960T1
仓库库存编号:
MMFT960T1OSCT-ND
别名:MMFT960T1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Tc) 800mW(Ta) SOT-223
型号:
MMFT960T1G
仓库库存编号:
MMFT960T1GOSCT-ND
别名:MMFT960T1GOS
MMFT960T1GOS-ND
MMFT960T1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGTR-ND
别名:TSM4435BCS RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGCT-ND
别名:TSM4435BCS RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGDKR-ND
别名:TSM4435BCS RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.2nC @ 10V,
无铅
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