产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.9A(Ta),100A(Tc) 2.6W(Ta), 125W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT6005LPS-13
仓库库存编号:
DMT6005LPS-13DICT-ND
别名:DMT6005LPS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 60V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc) DPAK
型号:
DMTH6005LK3-13
仓库库存编号:
DMTH6005LK3-13DICT-ND
别名:DMTH6005LK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 90A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc) TO-252-4L
型号:
DMTH6005LK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH6005LK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH6005LK3Q-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.6A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta), 150W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6005LPS-13
仓库库存编号:
DMTH6005LPS-13DICT-ND
别名:DMTH6005LPS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
DMT6005LSS-13
仓库库存编号:
DMT6005LSS-13DICT-ND
别名:DMT6005LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.6A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta), 150W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6005LPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH6005LPSQ-13DICT-ND
别名:DMTH6005LPSQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.8W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH6005LCT
仓库库存编号:
DMTH6005LCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220AB
型号:
DMT6005LCT
仓库库存编号:
DMT6005LCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S409ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S409ATMA2-ND
别名:SP001028662
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47.1nC @ 10V,
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