产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),72A(Tc) 2.6W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH8012LPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH8012LPSQ-13DICT-ND
别名:DMTH8012LPSQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.8W(Ta), 120W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N8F7
仓库库存编号:
497-16502-1-ND
别名:497-16502-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 170W(Tc) TO-220
型号:
STP110N8F7
仓库库存编号:
497-16486-5-ND
别名:497-16486-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 80V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMTH8012LK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH8012LK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH8012LK3Q-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 245W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA33N25
仓库库存编号:
FDA33N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V,
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