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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），37A（Tc） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5820NLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5820NLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5820NLTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS468DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS468DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS468DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD3682
  仓库库存编号：FDD3682CT-ND
  别名：FDD3682CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 3.1W（Ta），43W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8647L
  仓库库存编号：FDD8647LCT-ND
  别名：FDD8647LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 22A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS7600AS
  仓库库存编号：FDMS7600ASCT-ND
  别名：FDMS7600ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP5NK50ZFP
  仓库库存编号：497-12613-5-ND
  别名：497-12613-5
  STP5NK50ZFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR472ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR472ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR472ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R450E6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R450E6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX080N50FU6
  仓库库存编号：RDX080N50FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 34A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM230N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM230N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM230N06CP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 34A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM230N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM230N06CP ROGCT-ND
  别名：TSM230N06CP ROGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 34A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM230N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM230N06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM230N06CP ROGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.4A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5NK50ZT4
  仓库库存编号：497-3520-1-ND
  别名：497-3520-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R1K2C3
  仓库库存编号：IPA90R1K2C3-ND
  别名：IPA90R1K2C3XKSA1
  Q4141204
  SP000413714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.6W（Ta），2.8W（Tc）
  
  型号：SI1443EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1443EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1443EDH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7680
  仓库库存编号：FDMS7680CT-ND
  别名：FDMS7680CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A ECH8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8310-TL-H
  仓库库存编号：ECH8310-TL-HOSCT-ND
  别名：ECH8310-TL-HOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS406DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS406DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS406DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.7A（Ta），49A（Tc） 2.3W（Ta），52W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC7582
  仓库库存编号：FDMC7582CT-ND
  别名：FDMC7582CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5820NLTWG
  仓库库存编号：NVTFS5820NLTWGOSCT-ND
  别名：NVTFS5820NLTWGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3682
  仓库库存编号：FDB3682FSCT-ND
  别名：FDB3682FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 17A 800mW, 900mW Surface Mount 8-MLP (3x4.5)
  
  型号：FDML7610S
  仓库库存编号：FDML7610SCT-ND
  别名：FDML7610SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 22A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS7700S
  仓库库存编号：FDMS7700SCT-ND
  别名：FDMS7700SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201TRPBF
  仓库库存编号：IRF7201PBFCT-ND
  别名：*IRF7201TRPBF
  IRF7201PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-2
  
  型号：SPB18P06P G
  仓库库存编号：SPB18P06PGINCT-ND
  别名：SPB18P06PGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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