产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP3682
仓库库存编号：
FDP3682-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
型号：
SPP18P06P H
仓库库存编号：
SPP18P06P H-ND
别名：SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 52A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 72W（Tc） TO-220
型号：
TK22E10N1,S1X
仓库库存编号：
TK22E10N1S1X-ND
别名：TK22E10N1,S1X(S
TK22E10N1S1X
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK22A10N1,S4X
仓库库存编号：
TK22A10N1S4X-ND
别名：TK22A10N1,S4X(S
TK22A10N1,S4X-ND
TK22A10N1S4X
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF05N50ZG
仓库库存编号：
NDF05N50ZGOS-ND
别名：NDF05N50ZG-ND
NDF05N50ZGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 9.1A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R460CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R460CEXKSA1-ND
别名：SP001276042
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 192W（Tc） TO-220
型号：
AOT9N50
仓库库存编号：
785-1172-5-ND
别名：785-1172-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP90R1K2C3
仓库库存编号：
IPP90R1K2C3-ND
别名：IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R1K2C3
仓库库存编号：
IPW90R1K2C3-ND
别名：IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R450E6
仓库库存编号：
IPP60R450E6-ND
别名：IPP60R450E6XKSA1
SP000842486
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 40V 30A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） Power56
型号：
FDMS9411L_F085
仓库库存编号：
FDMS9411L_F085CT-ND
别名：FDMS9411L_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
型号：
RQ1E050RPTR
仓库库存编号：
RQ1E050RPCT-ND
别名：RQ1E050RPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 14.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），54A（Tc） 2.5W（Ta），53.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD242
仓库库存编号：
785-1475-1-ND
别名：785-1475-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 17A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS7602S
仓库库存编号：
FDMS7602SCT-ND
别名：FDMS7602SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R450E6
仓库库存编号：
IPD60R450E6CT-ND
别名：IPD60R450E6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ097N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSZ097N10NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
型号：
TK33S10N1Z,LQ
仓库库存编号：
TK33S10N1ZLQCT-ND
别名：TK33S10N1ZLQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 192W（Tc） TO-220
型号：
AOT8N50
仓库库存编号：
785-1171-5-ND
别名：785-1171-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35.6A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7772DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7772DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7772DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM230N06PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM230N06PQ56 RLGTR-ND
别名：TSM230N06PQ56 RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM230N06PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM230N06PQ56 RLGCT-ND
别名：TSM230N06PQ56 RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM230N06PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM230N06PQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM230N06PQ56 RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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