产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM4953DCS RLG
仓库库存编号:
TSM4953DCS RLGTR-ND
别名:TSM4953DCS RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM4953DCS RLG
仓库库存编号:
TSM4953DCS RLGCT-ND
别名:TSM4953DCS RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM4953DCS RLG
仓库库存编号:
TSM4953DCS RLGDKR-ND
别名:TSM4953DCS RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP5NK50Z
仓库库存编号:
497-3195-5-ND
别名:497-3195-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STB5NK50Z-1
仓库库存编号:
STB5NK50Z-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta),52A(Tc) 850mW(Ta),29.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4939NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4939NTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.6A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4712DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4712DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF05N50ZH
仓库库存编号:
NDF05N50ZH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 192W(Tc) TO-220
型号:
AOT7N60
仓库库存编号:
785-1189-5-ND
别名:785-1189-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF7N60
仓库库存编号:
AOTF7N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N50
仓库库存编号:
AOTF8N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 8A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 27.8W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF8N50
仓库库存编号:
AOWF8N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 17.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Ta),53A(Tc) 7.4W(Ta),69.5W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6248
仓库库存编号:
AON6248-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF9N50
仓库库存编号:
AOTF9N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT8N65
仓库库存编号:
AOT8N65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N65
仓库库存编号:
AOTF8N65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5820NLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5820NLWFTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 58W(Tc) DPAK+
型号:
TK30S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK30S06K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK30S06K3L(T6L1NQ
TK30S06K3LT6L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 58W(Tc) DPAK+
型号:
TK35S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK35S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK35S04K3L(T6L1NQ
TK35S04K3LT6L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5820NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5820NLWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.9A(Ta),52A(Tc) 850mW(Ta),29.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4939NTWG
仓库库存编号:
NTTFS4939NTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A60D(STA4QM)-ND
别名:TK11A60D(STA4QM)
TK11A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50DA(STA4,Q,M
仓库库存编号:
TK13A50DA(STA4QM-ND
别名:TK13A50DA(STA4QM
TK13A50DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A55D(STA4QM)-ND
别名:TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.1A(Tc) 74W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R460CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R460CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R460CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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