产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名：IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R450E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R450E6XKSA1-ND
别名：IPA60R450E6
IPA60R450E6-ND
SP000842484
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.4A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
型号：
STB5NK50ZT4
仓库库存编号：
497-4324-1-ND
别名：497-4324-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.4A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STD5NK50Z-1
仓库库存编号：
STD5NK50Z-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
型号：
MMDF3N04HDR2
仓库库存编号：
MMDF3N04HDR2OSCT-ND
别名：MMDF3N04HDR2OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 700mW（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS4111PT1G
仓库库存编号：
NTHS4111PT1GOSCT-ND
别名：NTHS4111PT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF76419P3
仓库库存编号：
HUF76419P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA76419P3
仓库库存编号：
HUFA76419P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76419S3S
仓库库存编号：
HUFA76419S3S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76419S3S
仓库库存编号：
HUF76419S3S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76419S3ST
仓库库存编号：
HUF76419S3ST-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76419S3ST
仓库库存编号：
HUFA76419S3ST-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4972DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4972DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4972DY-T1-E3CT
SI4972DYT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
2SK3565(Q,M)
仓库库存编号：
2SK3565QM-ND
别名：2SK3565(Q)
2SK3565(Q)-ND
2SK3565Q
2SK3565Q-ND
2SK3565QM
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.4A（Ta） 3.7W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4474
仓库库存编号：
785-1039-1-ND
别名：785-1039-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 46A 8ULTRASO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），46A（Tc） 2W（Ta），43W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1426
仓库库存编号：
785-1124-1-ND
别名：785-1124-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），24A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6410
仓库库存编号：
785-1135-1-ND
别名：785-1135-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），26A（Tc） 3.1W（Ta），35W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7400
仓库库存编号：
785-1136-1-ND
别名：785-1136-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
型号：
MMDF3N04HDR2G
仓库库存编号：
MMDF3N04HDR2GOSCT-ND
别名：MMDF3N04HDR2GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4972DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4972DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），22A（Tc） 2.4W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6416
仓库库存编号：
785-1342-1-ND
别名：785-1342-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 33V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 33V 9A（Ta），60A（Tc） 1.9W（Ta），79W（Tc） TO-220
型号：
AOT502
仓库库存编号：
AOT502-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJL6012DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJL6012DPE-00#J3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M011A050FSH
仓库库存编号：
GP1M011A050FSH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 158W（Tc） TO-220
型号：
GP1M011A050HS
仓库库存编号：
GP1M011A050HS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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