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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M011A050FH
  仓库库存编号：1560-1178-5-ND
  别名：1560-1178-1
  1560-1178-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050H
  仓库库存编号：1560-1179-5-ND
  别名：1560-1179-1
  1560-1179-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），55A（Tc） 2.3W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4144_003
  仓库库存编号：AOD4144_003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13A TO251A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），55A（Tc） 2.3W（Ta），50W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4144_002
  仓库库存编号：AOI4144_002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT8N65_001
  仓库库存编号：AOT8N65_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），55A（Tc） 2.3W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4144_002
  仓库库存编号：AOD4144_002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201
  仓库库存编号：IRF7201-ND
  别名：*IRF7201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201TR
  仓库库存编号：IRF7201TR-ND
  别名：SP001564746
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP18P06PHKSA1
  仓库库存编号：SPP18P06PHKSA1-ND
  别名：SP000012300
  SPP18P06P
  SPP18P06PIN
  SPP18P06PIN-ND
  SPP18P06PX
  SPP18P06PXK
  SPP18P06PXTIN
  SPP18P06PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-3
  
  型号：SPB18P06P
  仓库库存编号：SPB18P06P-ND
  别名：SP000012329
  SPB18P06PT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD088N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD088N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD088N04L G
  IPD088N04L G-ND
  SP000354798
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.1A, 1.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7350TRPBF
  仓库库存编号：IRF7350TRPBFCT-ND
  别名：IRF7350TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB093N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB093N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB093N04L GCT
  IPB093N04L GCT-ND
  IPB093N04LG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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