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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4505DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4505DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4505DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4505DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7230DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7230DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7230DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7230DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7806ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7806ADN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4890DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4890DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR120NTRL
  仓库库存编号：AUIRLR120NTRL-ND
  别名：SP001516016
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL520NSTRLPBF-ND
  别名：SP001567056
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NE06L
  仓库库存编号：497-2764-5-ND
  别名：497-2764-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.6A（Ta） 800mW（Ta） SOT-223
  
  型号：MMFT2N02ELT1
  仓库库存编号：MMFT2N02ELT1OSDKR-ND
  别名：MMFT2N02ELT1OSDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Ta） 60W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB22N06LT4
  仓库库存编号：NTB22N06LT4OS-ND
  别名：NTB22N06LT4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB18N06LT4
  仓库库存编号：NTB18N06LT4OS-ND
  别名：NTB18N06LT4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 25A（Ta） 75W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD25P03LT4
  仓库库存编号：NTD25P03LT4OS-ND
  别名：NTD25P03LT4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD15N06LT4
  仓库库存编号：NTD15N06LT4OS-ND
  别名：NTD15N06LT4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 22A（Ta） 60W（Tj） TO-220AB
  
  型号：NTP22N06L
  仓库库存编号：NTP22N06LOS-ND
  别名：NTP22N06LOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP18N06L
  仓库库存编号：NTP18N06LOS-ND
  别名：NTP18N06LOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 25A（Ta） 75W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD25P03L1
  仓库库存编号：NTD25P03L1OS-ND
  别名：NTD25P03L1OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD15N06L-001
  仓库库存编号：NTD15N06L-001OS-ND
  别名：NTD15N06L-001OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） SuperSOT?-6 FLMP
  
  型号：FDC796N
  仓库库存编号：FDC796NCT-ND
  别名：FDC796N_NLCT
  FDC796N_NLCT-ND
  FDC796NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 25A（Ta） 75W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD25P03L1G
  仓库库存编号：NTD25P03L1GOS-ND
  别名：NTD25P03L1GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP18N06LG
  仓库库存编号：NTP18N06LGOS-ND
  别名：NTP18N06LGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14A（Ta），56A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU7030BL
  仓库库存编号：FDU7030BL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU30N06LTU
  仓库库存编号：FQU30N06LTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 24A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD30N06LTM
  仓库库存编号：FQD30N06LTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 24A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD30N06LTF
  仓库库存编号：FQD30N06LTF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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