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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB18N06L
  仓库库存编号：NTB18N06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055L104
  仓库库存编号：NTD3055L104-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6600N
  仓库库存编号：NTD6600N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6600N-001
  仓库库存编号：NTD6600N-001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6600NT4
  仓库库存编号：NTD6600NT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6600NT4G
  仓库库存编号：NTD6600NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 6.3A, 4.1A 1.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4501ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4501ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4501ADY-T1-E3CT
  SI4501ADYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4831DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4831DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4831DY-T1-E3CT
  SI4831DYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6435ADQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6435ADQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6435ADQ-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6600N-1G
  仓库库存编号：NTD6600N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），56A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6680A
  仓库库存编号：FDD6680A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），56A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD7030BL
  仓库库存编号：FDD7030BL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB18N06LT4G
  仓库库存编号：NTB18N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTB18N06LT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6435ADQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6435ADQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6435ADQ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 6.3A, 4.1A 1.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4501ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4501ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4501ADY-T1-GE3CT
  SI4501ADYT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4886DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4886DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4886DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4886DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 7.5W（Ta），62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-11-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-11-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTDV3055L104-1G
  仓库库存编号：NTDV3055L104-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 25A（Tc） DPAK-3
  
  型号：STD25P03LT4G
  仓库库存编号：STD25P03LT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI520N
  仓库库存编号：IRLI520N-ND
  别名：*IRLI520N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520NS
  仓库库存编号：IRL520NS-ND
  别名：*IRL520NS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520NSTRL
  仓库库存编号：IRL520NSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8503
  仓库库存编号：IRLR8503-ND
  别名：*IRLR8503
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL520NL
  仓库库存编号：IRL520NL-ND
  别名：*IRL520NL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
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