产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK200N10P
仓库库存编号:
IXFK200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX200N10P
仓库库存编号:
IXFX200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR200N10P
仓库库存编号:
IXTR200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 133A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR200N10P
仓库库存编号:
IXFR200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN200N10P
仓库库存编号:
IXFN200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N110P
仓库库存编号:
IXFX30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N110P
仓库库存编号:
IXFK30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 16A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR30N110P
仓库库存编号:
IXFR30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 25A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN30N110P
仓库库存编号:
IXFN30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 235nC @ 10V,
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